Вы здесь
Samsung представила новую память для смартфонов Наука и технологии 

Samsung представила новую память для смартфонов

В рамках конференции Qualcomm 4G/5G Summit в Гонконге глава по планированию мобильных продуктов Samsung Джей Ох рассказал о достижениях компании в области производства памяти. По его словам, уже в следующем году появятся устройства с флэш-памятью стандарта Unified File Storage (UFS) третьего поколения. Кроме того, Джей Ох раскрыл подробности оперативной памяти типа LPDDR5.

В сравнении с используемой сейчас в топовых смартфонах флэш-памятью UFS 2.1 новый стандарт UFS 3.0 имеет вдвое большую пропускную способность — до 12 Гбит/с на линию. Достижения в области производства 3D-NAND позволили Samsung сделать новые чипы памяти таких же физических размеров, что и старые. С начала 2019 года они будут выпускаться в вариантах на 128, 256 и 512 ГБ. Кроме того, к 2021-му Samsung намерена наладить производство чипов объёмом 1 ТБ.

Что касается оперативной памяти LPDDR5, её пропускная способность в сравнении с прошлым поколением вырастет с 44 ГБ/с до 51,2 ГБ/с. При этом энергопотребление удалось снизить на 20%.

Массовое производство памяти LPDDR5 запланировано на 2020 год.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...

Похожие записи

Оставить комментарий

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.

Return to Top ▲Return to Top ▲

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: